창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLML0100TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLML0100TRPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLML0100TRPBF Saber Model IRLML0100TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Assembly Site Addition 13/Mar/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1518 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRLML0100TRPBFTR SP001568612 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLML0100TRPBF | |
관련 링크 | IRLML010, IRLML0100TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | LDEEF4220JAONO | LDEEF4220JAONO ORIGINAL SMD or Through Hole | LDEEF4220JAONO.pdf | |
![]() | RFO-16V222MI6 | RFO-16V222MI6 ELNA DIP | RFO-16V222MI6.pdf | |
![]() | NCT050C-20.0000 | NCT050C-20.0000 SARONIX SMD or Through Hole | NCT050C-20.0000.pdf | |
![]() | BGCF2012F102MT | BGCF2012F102MT ORIGINAL O805 | BGCF2012F102MT.pdf | |
![]() | SM79164C35Q | SM79164C35Q ORIGINAL QFP | SM79164C35Q.pdf |