창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLL2703TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLL2703PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 설계/사양 | SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013 SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IRLL2703TRPBF-ND IRLL2703TRPBFTR SP001576812 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLL2703TRPBF | |
| 관련 링크 | IRLL270, IRLL2703TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B82505WA7 | 56µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Chassis Mount 40A DCR 6 mOhm (Typ) | B82505WA7.pdf | |
![]() | 4304M-102-101 | RES ARRAY 2 RES 100 OHM 4SIP | 4304M-102-101.pdf | |
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![]() | PT61008L | PT61008L BOURNS SMD or Through Hole | PT61008L.pdf | |
![]() | HCD62119B04 | HCD62119B04 HIT PQC | HCD62119B04.pdf | |
![]() | KMF25VB102M12X20LL | KMF25VB102M12X20LL NIPPON DIP | KMF25VB102M12X20LL.pdf | |
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![]() | VCC3941D-ADJ | VCC3941D-ADJ UC SOP | VCC3941D-ADJ.pdf | |
![]() | MWS5101EL3 | MWS5101EL3 HARRIS DIP | MWS5101EL3.pdf | |
![]() | T-1-80-511R-F | T-1-80-511R-F IRC ALAS-1511R-F | T-1-80-511R-F.pdf | |
![]() | RJK0822SPN-00#T2R | RJK0822SPN-00#T2R RENESAS TRS | RJK0822SPN-00#T2R.pdf |