창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLL024ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLL024ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRLL024Z Saber Model IRLL024Z Spice Model | |
PCN 설계/사양 | SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013 SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 80 | |
다른 이름 | AUXAMLL024ZTR AUXAMLL024ZTR-ND SP001572992 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLL024ZPBF | |
관련 링크 | IRLL02, IRLL024ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
HFA3127RZ | IC TRANS ARRAY 5X NPN 16-QFN | HFA3127RZ.pdf | ||
RV-100V100M | RV-100V100M ELNA 8X10 | RV-100V100M.pdf | ||
AB4406B | AB4406B PUIAudio SMD or Through Hole | AB4406B.pdf | ||
RYS105628/CR1A | RYS105628/CR1A TI QFP | RYS105628/CR1A.pdf | ||
ST89E516RD40-C-PIE | ST89E516RD40-C-PIE ORIGINAL DIP | ST89E516RD40-C-PIE.pdf | ||
M5M4V17405CJ | M5M4V17405CJ MIT SOJ | M5M4V17405CJ.pdf | ||
27C512PC-13 | 27C512PC-13 MX DIP28 | 27C512PC-13.pdf | ||
SI4830A | SI4830A SI SMD or Through Hole | SI4830A.pdf | ||
GBL2DU | GBL2DU GOOD-ARK GBL | GBL2DU.pdf | ||
QG5000V/SL9TM | QG5000V/SL9TM INTEL BGA | QG5000V/SL9TM.pdf | ||
SSC-GR101 | SSC-GR101 SEOUL SMD or Through Hole | SSC-GR101.pdf | ||
KDA03161D | KDA03161D ORIGINAL SOP | KDA03161D.pdf |