창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLD110PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLD110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 600mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | *IRLD110PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLD110PBF | |
| 관련 링크 | IRLD11, IRLD110PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 30KPA240C | TVS DIODE 240VWM 406.35VC AXIAL | 30KPA240C.pdf | |
![]() | HCM496300000AAJT | 6.3MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM496300000AAJT.pdf | |
![]() | CMF551K8700FHR6 | RES 1.87K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K8700FHR6.pdf | |
![]() | PSP700JB-27R | RES 27 OHM 7W 5% AXIAL | PSP700JB-27R.pdf | |
![]() | MSG36D42ZA | MSG36D42ZA ON SMD or Through Hole | MSG36D42ZA.pdf | |
![]() | BZM55C22 | BZM55C22 VISHAY/TFK SMD or Through Hole | BZM55C22.pdf | |
![]() | TBS12LV22 | TBS12LV22 ORIGINAL QFP | TBS12LV22.pdf | |
![]() | US3171Q | US3171Q ALLEGRO PLCC | US3171Q.pdf | |
![]() | MR82C89/B | MR82C89/B HARRIS LCC | MR82C89/B.pdf | |
![]() | MAX8881EUT33+T | MAX8881EUT33+T MAXIM SOT23-6 | MAX8881EUT33+T.pdf | |
![]() | LSM303 | LSM303 ST LGA28 | LSM303.pdf | |
![]() | LTV-702FB | LTV-702FB LITEON DIP6 | LTV-702FB.pdf |