창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLD014PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLD014 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-DIP(0.300", 7.62mm) | |
공급 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | *IRLD014PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLD014PBF | |
관련 링크 | IRLD01, IRLD014PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 600D565D350DG5 | 5.6µF 35V Aluminum Capacitors Axial, Can | 600D565D350DG5.pdf | |
![]() | VJ0402D110FLBAC | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D110FLBAC.pdf | |
![]() | T95D157M016LZSS | 150µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 140 mOhm 0.293" L x 0.170" W (7.44mm x 4.32mm) | T95D157M016LZSS.pdf | |
![]() | RT0201FRE07324RL | RES SMD 324 OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE07324RL.pdf | |
![]() | SI5102QP1H | SI5102QP1H ON DFN12 | SI5102QP1H.pdf | |
![]() | 0603-1.8NH | 0603-1.8NH ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-1.8NH.pdf | |
![]() | RT9178-25PB | RT9178-25PB RICHTEK SOT-25 | RT9178-25PB.pdf | |
![]() | LD8273 | LD8273 INTEL CDIP | LD8273.pdf | |
![]() | R5421N124C | R5421N124C RICOH SOT-23-6 | R5421N124C.pdf | |
![]() | 2SK117-GR: | 2SK117-GR: ORIGINAL TO-92 | 2SK117-GR:.pdf | |
![]() | AM9519A-DCB | AM9519A-DCB AMD DIP | AM9519A-DCB.pdf | |
![]() | TX2N930 | TX2N930 MICROSEMI SMD | TX2N930.pdf |