창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLB8721PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLB8721PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
주요제품 | 30 V MOSFET Family | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.7m옴 @ 31A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 25µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1077pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001558140 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLB8721PBF | |
관련 링크 | IRLB87, IRLB8721PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SP6045R70YLB | SP6045R70YLB ABC SMD or Through Hole | SP6045R70YLB.pdf | |
![]() | 0603CS-15NXJBC | 0603CS-15NXJBC Coilcraft SMD or Through Hole | 0603CS-15NXJBC.pdf | |
![]() | MB39C015PFV-ERE1# | MB39C015PFV-ERE1# FUJISTU N A | MB39C015PFV-ERE1#.pdf | |
![]() | TL1451NB | TL1451NB UTC TSSOP | TL1451NB.pdf | |
![]() | D4711EC | D4711EC N/A SOP | D4711EC.pdf | |
![]() | 7613R102 | 7613R102 CTS SMD or Through Hole | 7613R102.pdf | |
![]() | MAX3378ECUG | MAX3378ECUG MAXIM SMD or Through Hole | MAX3378ECUG.pdf | |
![]() | HEC50-24S05P-HS | HEC50-24S05P-HS P-DUKE SMD or Through Hole | HEC50-24S05P-HS.pdf | |
![]() | PRN10016-2002DBR | PRN10016-2002DBR CMD SMD | PRN10016-2002DBR.pdf |