창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLB8314PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLB8314PbF | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5050pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-0101PBF 64-0101PBF-ND SP001572766 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLB8314PBF | |
관련 링크 | IRLB83, IRLB8314PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CRGH2512F27K4 | RES SMD 27.4K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F27K4.pdf | ||
FDS9412A-FAIRCHILD | FDS9412A-FAIRCHILD ORIGINAL SMD or Through Hole | FDS9412A-FAIRCHILD.pdf | ||
IRF9952Q | IRF9952Q IR SO-8 | IRF9952Q.pdf | ||
LT1952IGN-1PBF | LT1952IGN-1PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1952IGN-1PBF.pdf | ||
CFWKA450KBFY001-R0 | CFWKA450KBFY001-R0 MURATA SMD or Through Hole | CFWKA450KBFY001-R0.pdf | ||
TRMF58872-03 | TRMF58872-03 MXIC SMD or Through Hole | TRMF58872-03.pdf | ||
LUWW5AM-KYLX-6P7Q | LUWW5AM-KYLX-6P7Q OSR SMD or Through Hole | LUWW5AM-KYLX-6P7Q.pdf | ||
1848E | 1848E ORIGINAL BGA | 1848E.pdf | ||
BD5332G | BD5332G ROHM SMD or Through Hole | BD5332G.pdf | ||
19-237A/R6BHGHC-A01/2T | 19-237A/R6BHGHC-A01/2T EVERLIGH N A | 19-237A/R6BHGHC-A01/2T.pdf | ||
LT1963A-EQ-1.8 | LT1963A-EQ-1.8 LT TO263 | LT1963A-EQ-1.8.pdf |