창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLB8314PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLB8314PbF | |
| PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 68A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5050pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 64-0101PBF 64-0101PBF-ND SP001572766 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLB8314PBF | |
| 관련 링크 | IRLB83, IRLB8314PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 35F0121-1SR-10 | 82 Ohm Impedance Ferrite Bead 2-SMD, J-Lead Surface Mount Power Line 10A 1 Lines 1 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | 35F0121-1SR-10.pdf | |
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![]() | INIC1610 | INIC1610 INITIO QFP64 | INIC1610.pdf | |
![]() | LA5-180V681MS25 | LA5-180V681MS25 ELNA SMD or Through Hole | LA5-180V681MS25.pdf | |
![]() | 240C4AN-10PU-2.7V | 240C4AN-10PU-2.7V ATMEL SOP DIP | 240C4AN-10PU-2.7V.pdf | |
![]() | 101R09C150JV4TD | 101R09C150JV4TD MCINV SMD or Through Hole | 101R09C150JV4TD.pdf |