창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLB8314PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLB8314PbF | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 68A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5050pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 64-0101PBF 64-0101PBF-ND SP001572766 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLB8314PBF | |
관련 링크 | IRLB83, IRLB8314PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
P160-182HS | 1.8µH Unshielded Inductor 1.149A 93 mOhm Max Nonstandard | P160-182HS.pdf | ||
CP00073R000JE663 | RES 3 OHM 7W 5% AXIAL | CP00073R000JE663.pdf | ||
ADSP2101-66 | ADSP2101-66 AD SMD or Through Hole | ADSP2101-66.pdf | ||
CL-840-S21-PC | CL-840-S21-PC INTEMATIX SMD or Through Hole | CL-840-S21-PC.pdf | ||
LT38301 | LT38301 LTC SOP8 | LT38301.pdf | ||
LY4209A | LY4209A ORIGINAL SMD or Through Hole | LY4209A.pdf | ||
WD3-48S15 | WD3-48S15 SANGUEI DIP | WD3-48S15.pdf | ||
LC74788N | LC74788N SANYO DIP | LC74788N.pdf | ||
K4D263238F-UC50000 | K4D263238F-UC50000 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4D263238F-UC50000.pdf | ||
VCD30-D12-D12 | VCD30-D12-D12 V-Ininity SMD or Through Hole | VCD30-D12-D12.pdf | ||
ZE-N-2 | ZE-N-2 OMRON SMD or Through Hole | ZE-N-2.pdf | ||
172DM4-12 | 172DM4-12 TELEDYNE SMD or Through Hole | 172DM4-12.pdf |