창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL7833PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL7833(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRL7833LPBF Saber Model IRL7833LPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4170pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL7833PBF SP001550382 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL7833PBF | |
관련 링크 | IRL783, IRL7833PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 170M4847 | FUSE 160A 4500V 1/315 AR | 170M4847.pdf | |
![]() | Y1636300R000B9W | RES SMD 300 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Y1636300R000B9W.pdf | |
![]() | 1-1623753-0 | RES 4.22 OHM 14W 1% AXIAL | 1-1623753-0.pdf | |
![]() | LM285EOA12 | LM285EOA12 ORIGINAL SOP8 | LM285EOA12.pdf | |
![]() | SS12/SMA | SS12/SMA PANJIT SMA | SS12/SMA.pdf | |
![]() | N25Q128A13ESE40F-N | N25Q128A13ESE40F-N MICRON SMD or Through Hole | N25Q128A13ESE40F-N.pdf | |
![]() | M5115 | M5115 ALI QFP | M5115.pdf | |
![]() | BZX79-C18,143 | BZX79-C18,143 NXPSEMI SMD or Through Hole | BZX79-C18,143.pdf | |
![]() | B6NE | B6NE ST TO-263 | B6NE.pdf | |
![]() | GK112A-3 | GK112A-3 ORIGINAL DIP | GK112A-3.pdf | |
![]() | NCV3163PWG | NCV3163PWG ON SOP-16 | NCV3163PWG.pdf |