창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL640PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL640, SiHL640 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL640PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL640PBF | |
| 관련 링크 | IRL64, IRL640PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 402F32011CLT | 32MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F32011CLT.pdf | |
![]() | ZTX957STZ | TRANS PNP 300V 1A E-LINE | ZTX957STZ.pdf | |
![]() | PLT0603Z6571LBTS | RES SMD 6.57K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z6571LBTS.pdf | |
![]() | C2002-K | C2002-K NEC TO-92 | C2002-K.pdf | |
![]() | TC58NVGOS3ETAOO | TC58NVGOS3ETAOO ORIGINAL TSOP | TC58NVGOS3ETAOO.pdf | |
![]() | NFORCE3MCP-T | NFORCE3MCP-T HIT BGA | NFORCE3MCP-T.pdf | |
![]() | 2SA1136 | 2SA1136 NEC CAN | 2SA1136.pdf | |
![]() | MSP430F1611REV | MSP430F1611REV TI QFP | MSP430F1611REV.pdf | |
![]() | NC7SE32M5X | NC7SE32M5X FAIRCHIL SMD or Through Hole | NC7SE32M5X.pdf | |
![]() | GM6815-2528ST26RG | GM6815-2528ST26RG GM SOT-25 | GM6815-2528ST26RG.pdf | |
![]() | SS25-ND | SS25-ND JXND DO-214AA(SMB) | SS25-ND.pdf | |
![]() | R0106BA | R0106BA ORIGINAL TO-92 | R0106BA.pdf |