창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL640PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL640, SiHL640 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL640PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL640PBF | |
| 관련 링크 | IRL64, IRL640PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | PHP00805H3050BST1 | RES SMD 305 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805H3050BST1.pdf | |
![]() | 315000010185 | HERMETIC THERMOSTAT | 315000010185.pdf | |
![]() | PSMBJ22CA | PSMBJ22CA ORIGINAL SMB | PSMBJ22CA.pdf | |
![]() | BLM18EG221SNIDP | BLM18EG221SNIDP ORIGINAL SMD or Through Hole | BLM18EG221SNIDP.pdf | |
![]() | CM2706A-RT | CM2706A-RT CHIMEI SMD or Through Hole | CM2706A-RT.pdf | |
![]() | SGBJ15J | SGBJ15J LT SMD or Through Hole | SGBJ15J.pdf | |
![]() | TUF-3 | TUF-3 MINI SMD or Through Hole | TUF-3.pdf | |
![]() | MM1593C | MM1593C MITSUMI SOP-4 | MM1593C.pdf | |
![]() | M5M51659-12L | M5M51659-12L MIT DIP-28 | M5M51659-12L.pdf | |
![]() | DS26LV31TMX/NSC | DS26LV31TMX/NSC NS SMD or Through Hole | DS26LV31TMX/NSC.pdf | |
![]() | SU3-48D15-B | SU3-48D15-B SUCCEED DIP | SU3-48D15-B.pdf |