창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL630STRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL630S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 5.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL630STRRPBF | |
| 관련 링크 | IRL630S, IRL630STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RMCF0201FT15R0 | RES SMD 15 OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT15R0.pdf | |
![]() | CRCW080522K1FKEAHP | RES SMD 22.1K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW080522K1FKEAHP.pdf | |
![]() | 3306F-1-502LF | 3306F-1-502LF BOURNS DIP | 3306F-1-502LF.pdf | |
![]() | SPI11N60C3A | SPI11N60C3A INFINEON TO-262 | SPI11N60C3A.pdf | |
![]() | STTH5R06 | STTH5R06 ST TO-220-2 | STTH5R06.pdf | |
![]() | EPM1270F256C5-ALTERA(ECCN) | EPM1270F256C5-ALTERA(ECCN) ORIGINAL SMD or Through Hole | EPM1270F256C5-ALTERA(ECCN).pdf | |
![]() | ACE306C330BBN+H | ACE306C330BBN+H ACE SMD or Through Hole | ACE306C330BBN+H.pdf | |
![]() | XC2C64VQ100 | XC2C64VQ100 TI QFP | XC2C64VQ100.pdf | |
![]() | R77711430JB00V | R77711430JB00V ARC SMD or Through Hole | R77711430JB00V.pdf | |
![]() | D1481N58T | D1481N58T EUPEC SMD or Through Hole | D1481N58T.pdf | |
![]() | UPL0J472MHH | UPL0J472MHH NICHICON SMD or Through Hole | UPL0J472MHH.pdf |