창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL630STRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL630S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 5.4A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL630STRLPBF | |
관련 링크 | IRL630S, IRL630STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 74438356022 | 2.2µH Shielded Inductor 4.7A 35 mOhm Max 2-SMD | 74438356022.pdf | |
![]() | CRCW1210620RJNTA | RES SMD 620 OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW1210620RJNTA.pdf | |
![]() | Y16241K20000F9W | RES SMD 1.2K OHM 1% 1/5W 0805 | Y16241K20000F9W.pdf | |
![]() | TNPW251247K0BETG | RES SMD 47K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251247K0BETG.pdf | |
![]() | MBB0207CC3650FC100 | RES 365 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB0207CC3650FC100.pdf | |
![]() | USB2504 | USB2504 SMSC SMD or Through Hole | USB2504.pdf | |
![]() | S08GTR-3.8MM | S08GTR-3.8MM SNCU SOP8 | S08GTR-3.8MM.pdf | |
![]() | UPC1854AGT/JM | UPC1854AGT/JM NEC SOP28 | UPC1854AGT/JM.pdf | |
![]() | SR0602150ML | SR0602150ML ABC SMD or Through Hole | SR0602150ML.pdf | |
![]() | T8536B | T8536B AGERE QFP | T8536B.pdf | |
![]() | TE28F640-C3TC80 | TE28F640-C3TC80 INT TSSOP | TE28F640-C3TC80.pdf | |
![]() | MDD55A12 | MDD55A12 SIEMENS 2DIO | MDD55A12.pdf |