창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL6297SDTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL6297SDTRPbF | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 15A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2245pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.7W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 SA | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ SA | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | IRL6297SDTRPBF-ND IRL6297SDTRPBFTR SP001578724 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL6297SDTRPBF | |
관련 링크 | IRL6297S, IRL6297SDTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BGA736L16E6327 | BGA736L16E6327 INFINEON QFN | BGA736L16E6327.pdf | |
![]() | 818M110YY3-G | 818M110YY3-G N/A QFN | 818M110YY3-G.pdf | |
![]() | M-ATT1RX04FC4 | M-ATT1RX04FC4 LUCENT SMD or Through Hole | M-ATT1RX04FC4.pdf | |
![]() | 501527-0530-C | 501527-0530-C MOLEX SMD or Through Hole | 501527-0530-C.pdf | |
![]() | HEL33V | HEL33V ON SOP8 | HEL33V.pdf | |
![]() | 581-214-00 | 581-214-00 COTO SMD or Through Hole | 581-214-00.pdf | |
![]() | T236N22EOB | T236N22EOB EUPEC SMD or Through Hole | T236N22EOB.pdf | |
![]() | DR30B6-EB | DR30B6-EB FUJI SMD or Through Hole | DR30B6-EB.pdf | |
![]() | DSX151GA 6.144MHZ | DSX151GA 6.144MHZ KDS SMD | DSX151GA 6.144MHZ.pdf | |
![]() | JFS0750/1000 | JFS0750/1000 TDK-Lambda SMD or Through Hole | JFS0750/1000.pdf | |
![]() | NTD80N02T4G | NTD80N02T4G ORIGINAL DPAKTO-252 | NTD80N02T4G .pdf | |
![]() | 110-87-210-41-001101 | 110-87-210-41-001101 Precidip SMD or Through Hole | 110-87-210-41-001101.pdf |