창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL60S216 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL60S(L)216 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.95m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | IRL60S216TR SP001573906 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL60S216 | |
| 관련 링크 | IRL60, IRL60S216 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CGJ4J2X7R1A475K125AA | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGJ4J2X7R1A475K125AA.pdf | |
![]() | NRVTS1245EMFST1G | DIODE SCHOTTKY 45V 12A SO8 | NRVTS1245EMFST1G.pdf | |
![]() | SFR16S0003832FR500 | RES 38.3K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0003832FR500.pdf | |
![]() | 2SC4466/2SA1693 | 2SC4466/2SA1693 ORIGINAL TO-3P | 2SC4466/2SA1693.pdf | |
![]() | MMBT2222Q | MMBT2222Q SeCoS SOT-89 | MMBT2222Q.pdf | |
![]() | 6807 93907 | 6807 93907 TFK SOP14S | 6807 93907.pdf | |
![]() | B91996 L2 | B91996 L2 ATHEROS QFP64 | B91996 L2.pdf | |
![]() | AP1501A-33G-13 | AP1501A-33G-13 DIODES TO263 | AP1501A-33G-13.pdf | |
![]() | SA57004-32GW | SA57004-32GW NXP SMD or Through Hole | SA57004-32GW.pdf | |
![]() | G65SC816P5 | G65SC816P5 GTE PDIP | G65SC816P5.pdf | |
![]() | NS218AF | NS218AF NSC PLCC | NS218AF.pdf | |
![]() | XC4VLX80-11FFG1148I | XC4VLX80-11FFG1148I Xilinx BGA | XC4VLX80-11FFG1148I.pdf |