창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL540STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL540S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 77m옴 @ 17A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL540STRR | |
| 관련 링크 | IRL540, IRL540STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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| TH3D106M035C0700 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 700 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D106M035C0700.pdf | ||
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![]() | B82432-A1153-K | B82432-A1153-K ORIGINAL SMD or Through Hole | B82432-A1153-K.pdf | |
![]() | BS-0603QBC | BS-0603QBC ORIGINAL SMD or Through Hole | BS-0603QBC.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF 2001V | ERJ-6ENF 2001V PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ-6ENF 2001V.pdf | |
![]() | SN74LVC1G04DBVR/C042 | SN74LVC1G04DBVR/C042 TI SOT23-5 | SN74LVC1G04DBVR/C042.pdf | |
![]() | CC-2.2U | CC-2.2U ORIGINAL SMD or Through Hole | CC-2.2U.pdf | |
![]() | UPD4174G-T2 | UPD4174G-T2 NEC SOP | UPD4174G-T2.pdf | |
![]() | 0402F223M250NT | 0402F223M250NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402F223M250NT.pdf | |
![]() | SAF-C509-LM DB | SAF-C509-LM DB INFINEON QFP | SAF-C509-LM DB.pdf |