창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL540NSTRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL540NS/LPbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001550372 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL540NSTRRPBF | |
관련 링크 | IRL540NS, IRL540NSTRRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | Y4021104R000A6R | RES SMD 104 OHM 0.05% 1/10W 0603 | Y4021104R000A6R.pdf | |
![]() | DBSHV826MGEEE | DBSHV826MGEEE SUP MSOP8P | DBSHV826MGEEE.pdf | |
![]() | KM7184949T67 | KM7184949T67 SAM PQFP | KM7184949T67.pdf | |
![]() | SI3210-KT* | SI3210-KT* ORIGINAL SSOP | SI3210-KT*.pdf | |
![]() | BBY63-02L | BBY63-02L INFINEON TSLP-2-7 | BBY63-02L.pdf | |
![]() | AA8338 | AA8338 AGAMEM SMD or Through Hole | AA8338.pdf | |
![]() | DLCB2D18-10UH | DLCB2D18-10UH DACOWELL SMD or Through Hole | DLCB2D18-10UH.pdf | |
![]() | 38330-2203 | 38330-2203 MOLEX SMD or Through Hole | 38330-2203.pdf | |
![]() | TLP734(D4-GR-TP5,M | TLP734(D4-GR-TP5,M TOS SOP-6 | TLP734(D4-GR-TP5,M.pdf | |
![]() | TDA1519B/N2,112 | TDA1519B/N2,112 NXP SMD or Through Hole | TDA1519B/N2,112.pdf | |
![]() | BSB019N03LX G | BSB019N03LX G Infineon CanPAK M-size | BSB019N03LX G.pdf | |
![]() | SI4878DY | SI4878DY SILICON SMD or Through Hole | SI4878DY.pdf |