창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL540NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL540NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL540NPBF SP001576440 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL540NPBF | |
관련 링크 | IRL540, IRL540NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BTA12-600SWRG | TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB | BTA12-600SWRG.pdf | |
![]() | 2N6764T1 | MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE | 2N6764T1.pdf | |
![]() | ERA-8AEB1180V | RES SMD 118 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB1180V.pdf | |
![]() | CRCW25122K32FKEGHP | RES SMD 2.32K OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW25122K32FKEGHP.pdf | |
![]() | LP2989IMX-3.3 (PB) | LP2989IMX-3.3 (PB) NS 3.9mm-8 | LP2989IMX-3.3 (PB).pdf | |
![]() | 37002500510 | 37002500510 littelfuse SMD or Through Hole | 37002500510.pdf | |
![]() | DS1281AQ | DS1281AQ DALLAS PLCC | DS1281AQ.pdf | |
![]() | LB05-10A24 | LB05-10A24 MORNSUN SMD or Through Hole | LB05-10A24.pdf | |
![]() | SRBM122500 | SRBM122500 ALPS SMD | SRBM122500.pdf | |
![]() | BAT40V-X-F | BAT40V-X-F DIODES SOT563 | BAT40V-X-F.pdf | |
![]() | LN2351P332PR | LN2351P332PR LN Sot89 | LN2351P332PR.pdf | |
![]() | LT1169ACN8 | LT1169ACN8 LTC DIP8 | LT1169ACN8.pdf |