창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL540NPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL540NPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL540NPBF SP001576440 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL540NPBF | |
| 관련 링크 | IRL540, IRL540NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-245.7-8-36CKM | 24.576MHz ±10ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-245.7-8-36CKM.pdf | |
![]() | 5022-123F | 12µH Unshielded Inductor 555mA 1.1 Ohm Max 2-SMD | 5022-123F.pdf | |
![]() | Y117247R0000D0R | RES SMD 47 OHM 0.5% 1/10W 0805 | Y117247R0000D0R.pdf | |
![]() | H41K07BZA | RES 1.07K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H41K07BZA.pdf | |
![]() | CS8102-003 | CS8102-003 CS DIE60 | CS8102-003.pdf | |
![]() | UA2732TR | UA2732TR UBEC SMD or Through Hole | UA2732TR.pdf | |
![]() | MCM60L256AFV10 | MCM60L256AFV10 MOT SOP28 | MCM60L256AFV10.pdf | |
![]() | UPD29F800LGZB-12BX | UPD29F800LGZB-12BX NEC TSOP | UPD29F800LGZB-12BX.pdf | |
![]() | C3-Z1.5R | C3-Z1.5R ORIGINAL SMD or Through Hole | C3-Z1.5R.pdf | |
![]() | D2T2218A | D2T2218A ORIGINAL CAN | D2T2218A.pdf |