창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL530STRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL530S,SiHL530S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 9A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL530STRRPBF | |
| 관련 링크 | IRL530S, IRL530STRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 800B330FT500XT | 33pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 800B330FT500XT.pdf | |
![]() | 445A31F20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31F20M00000.pdf | |
![]() | AT0805BRD07226RL | RES SMD 226 OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD07226RL.pdf | |
![]() | MXL5007T | MXL5007T MaxLinear QFN32 | MXL5007T.pdf | |
![]() | ML6206S302PRG | ML6206S302PRG MiniLogic SOT-89 | ML6206S302PRG.pdf | |
![]() | MSM3000CD90-24640-4 | MSM3000CD90-24640-4 QUALCOMM BGA | MSM3000CD90-24640-4.pdf | |
![]() | 2SJ531 | 2SJ531 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SJ531.pdf | |
![]() | IDT10474S70F | IDT10474S70F IDT DIP | IDT10474S70F.pdf | |
![]() | 4607H-101-201LF | 4607H-101-201LF BOURNS DIP | 4607H-101-201LF.pdf | |
![]() | SCI7701YEA-T2 | SCI7701YEA-T2 EPSON SOT-89 | SCI7701YEA-T2.pdf | |
![]() | TC7SET34FU(TE85LF | TC7SET34FU(TE85LF TOSHIBA SMD or Through Hole | TC7SET34FU(TE85LF.pdf |