창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL530NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL530NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRL530NPBF Saber Model IRL530NPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL530NPBF 64-0095PBF 64-0095PBF-ND SP001578734 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL530NPBF | |
관련 링크 | IRL530, IRL530NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | CRCW080533K0FKEB | RES SMD 33K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080533K0FKEB.pdf | |
![]() | DPX161576DT-8011B1 | RF Diplexor 806MHz ~ 941MHz / 1574.42MHz ~ 1576.42 MHz 0603 (1608 Metric) | DPX161576DT-8011B1.pdf | |
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![]() | PPA3120D2 | PPA3120D2 TI DIP24 | PPA3120D2.pdf | |
![]() | AT89S8253 | AT89S8253 AT DIP40 | AT89S8253.pdf | |
![]() | ASM706CSP | ASM706CSP ALLIANCE MSOP | ASM706CSP.pdf | |
![]() | ELS505YWA | ELS505YWA EVERLIGHT DIP | ELS505YWA.pdf | |
![]() | GRM111CH150J500(15P) | GRM111CH150J500(15P) ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM111CH150J500(15P).pdf | |
![]() | UPD61132AS1-130-F6 | UPD61132AS1-130-F6 ORIGINAL SMD or Through Hole | UPD61132AS1-130-F6.pdf | |
![]() | ICX432AQZ-C | ICX432AQZ-C SONY SOP | ICX432AQZ-C.pdf |