창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL510STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL510S, SiHL510S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 3.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL510STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRL510S, IRL510STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 184333K400RCB-F | 0.033µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial 0.413" L x 0.197" W (10.50mm x 5.00mm) | 184333K400RCB-F.pdf | |
![]() | IXGR80N60B | IGBT 600V ISOPLUS247 | IXGR80N60B.pdf | |
![]() | EP20K1000EFC672 | EP20K1000EFC672 ALTERA BGA | EP20K1000EFC672.pdf | |
![]() | XC2VP100-6FF1696C | XC2VP100-6FF1696C XILINX BGA | XC2VP100-6FF1696C.pdf | |
![]() | 6301-1J | 6301-1J MMI DIP | 6301-1J.pdf | |
![]() | K3-GALI_GVA+ | K3-GALI_GVA+ MINI SMD or Through Hole | K3-GALI_GVA+.pdf | |
![]() | US1287SC | US1287SC UNISEM SMD or Through Hole | US1287SC.pdf | |
![]() | 1N4745AG | 1N4745AG VISHVISHAY/ST/GSAY SMD DIP | 1N4745AG.pdf | |
![]() | XC850DECVR50BUR2 | XC850DECVR50BUR2 FREESCALE BGA256 | XC850DECVR50BUR2.pdf | |
![]() | UTV6-12V | UTV6-12V OMRON SMD or Through Hole | UTV6-12V.pdf | |
![]() | UC3838 | UC3838 UC DIP 16 | UC3838.pdf | |
![]() | TL494--KIA494. | TL494--KIA494. KIA DIP | TL494--KIA494..pdf |