창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL40S212 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL40B212, IRL40S212 | |
| PCN 설계/사양 | Material Chg 24/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 137nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8320pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 231W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | IRL40S212CT IRL40S212CT-ND SP001568454 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL40S212 | |
| 관련 링크 | IRL40, IRL40S212 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 400VXG330MEFCSN25X50 | 330µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | 400VXG330MEFCSN25X50.pdf | |
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![]() | TSM0B103F | TSM0B103F TKS SMD or Through Hole | TSM0B103F.pdf | |
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![]() | SPB05-2R | SPB05-2R ORIGINAL N A | SPB05-2R.pdf | |
![]() | NF-650I-A2 | NF-650I-A2 NVIDIA BGA | NF-650I-A2.pdf | |
![]() | 5253B-8.0 | 5253B-8.0 ON TO-263(D2PAK) | 5253B-8.0.pdf | |
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![]() | LQH31HNR61J03K | LQH31HNR61J03K ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH31HNR61J03K.pdf | |
![]() | OPA4343NA5 | OPA4343NA5 TI Original | OPA4343NA5.pdf |