Infineon Technologies IRL40B212
- 제조업체 부품 번호
- IRL40B212
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 195A
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IRL40B212 가격 및 조달
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11363 조각
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창고: HONGKONG
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 1,562.19100
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EIS에는 IRL40B212 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRL40B212 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRL40B212가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
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IRL40B212 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL40B212 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL40B212, IRL40S212 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 137nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8320pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 231W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001578760 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL40B212 | |
| 관련 링크 | IRL40, IRL40B212 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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