홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » IRL40B209

Infineon Technologies IRL40B209

IRL40B209
제조업체 부품 번호
IRL40B209
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 195A
데이터 시트 다운로드
다운로드
IRL40B209 가격 및 조달

가능 수량

11230 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,970.16000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IRL40B209 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRL40B209 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRL40B209가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IRL40B209 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRL40B209 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRL40B209
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRL40B209
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®, StrongIRFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C195A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.25m옴 @ 100A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs270nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15140pF @ 25V
전력 - 최대375W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름SP001576458
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRL40B209
관련 링크IRL40, IRL40B209 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IRL40B209 의 관련 제품
RES SMD 2.32K OHM 1% 1/20W 0201 RMCF0201FT2K32.pdf
RES SMD 16.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 RT0805DRD0716K5L.pdf
S632 ORIGINAL CDIP S632.pdf
IRKC56/06A IR SMD or Through Hole IRKC56/06A.pdf
MMK75104M100K01L165TR18 EVOX SMD or Through Hole MMK75104M100K01L165TR18.pdf
HDL4H19GNW304-00 HITACHI BGA HDL4H19GNW304-00.pdf
SN54HCT175J TI CDIP SN54HCT175J.pdf
XC4VLX25SF363 XC BGA XC4VLX25SF363.pdf
2SA936 ORIGINAL TO-92 2SA936.pdf
CS-37S6E-3 28V MOTOROLA SMD CS-37S6E-3 28V.pdf
RT9164A-25RL RICHTEK TO-252 RT9164A-25RL.pdf