창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL3713STRRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL3713PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 330W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001568494 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL3713STRRPBF | |
관련 링크 | IRL3713S, IRL3713STRRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT9003AC-33-33EQ-12.50000T | OSC XO 3.3V 12.5MHZ OE -1.0% | SIT9003AC-33-33EQ-12.50000T.pdf | |
![]() | ERA-3AEB1472V | RES SMD 14.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB1472V.pdf | |
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![]() | EPF7032AETC44-15 | EPF7032AETC44-15 ALTERA QFP | EPF7032AETC44-15.pdf | |
![]() | HD64F7055RFJ40 | HD64F7055RFJ40 RENESAS QFP | HD64F7055RFJ40.pdf | |
![]() | VR37000001503JA100 | VR37000001503JA100 VISHAY SMD or Through Hole | VR37000001503JA100.pdf | |
![]() | 74LV32D,112 | 74LV32D,112 ORIGINAL SMD or Through Hole | 74LV32D,112.pdf | |
![]() | MMBT9012H(2T1) | MMBT9012H(2T1) ST SOT-23 | MMBT9012H(2T1).pdf |