창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL3705ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL3705Z(S,L)PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRL3705ZL Saber Model IRL3705ZL Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 52A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL3705ZPBF SP001557992 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL3705ZPBF | |
| 관련 링크 | IRL370, IRL3705ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | GRM2165C1H470GZ01D | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C1H470GZ01D.pdf | |
![]() | NF13AA0400M-- | ICL 40 OHM 20% 2A 13MM | NF13AA0400M--.pdf | |
![]() | 1N5921C G | DIODE ZENER 6.8V 1.25W DO204AL | 1N5921C G.pdf | |
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![]() | ERJ-3GEYJ3R0V | RES SMD 3 OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-3GEYJ3R0V.pdf | |
![]() | MAX16818ETI+ | LED 드라이버 IC 1 출력 DC DC 컨트롤러 SEPIC, 스텝다운(벅), 스텝업(부스트) PWM 조광 28-TQFN(5x5) | MAX16818ETI+.pdf | |
![]() | NH050F-LS2 | NH050F-LS2 LU SMD or Through Hole | NH050F-LS2.pdf | |
![]() | 2SC5773 | 2SC5773 RENESAS SOT-23 | 2SC5773.pdf | |
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