창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL3103D1STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | FETKY™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL3103D1STRR | |
| 관련 링크 | IRL3103, IRL3103D1STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C927U561KZYDAA7317 | 560pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C927U561KZYDAA7317.pdf | |
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![]() | Y010160R0000F9L | RES 60 OHM 1W 1% RADIAL | Y010160R0000F9L.pdf | |
![]() | HSDL3200#008 | HSDL3200#008 Agilent SMD or Through Hole | HSDL3200#008.pdf | |
![]() | HD1455 | HD1455 HIT NA | HD1455.pdf | |
![]() | FR15N200 | FR15N200 IR TO252 | FR15N200.pdf | |
![]() | CM33002 | CM33002 CarrollMeynell SMD or Through Hole | CM33002.pdf | |
![]() | 8762C | 8762C HP SMD or Through Hole | 8762C.pdf | |
![]() | 0402 104 100NF 0.1UF | 0402 104 100NF 0.1UF SAMSUNG/YAGEO/TDK SMD or Through Hole | 0402 104 100NF 0.1UF.pdf | |
![]() | MCP6V06T-E/MD | MCP6V06T-E/MD MICROCHIP 4x4DFN-8-TR | MCP6V06T-E/MD.pdf | |
![]() | 59SAV339C | 59SAV339C STM QFP-80 | 59SAV339C.pdf | |
![]() | OM74CS123N | OM74CS123N ORIGINAL DIP-16 | OM74CS123N.pdf |