창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL2203STRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL2203S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL2203STRL | |
| 관련 링크 | IRL220, IRL2203STRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C901U100DVNDBAWL40 | 10pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U100DVNDBAWL40.pdf | |
![]() | P51-75-A-Y-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-A-Y-P-5V-000-000.pdf | |
![]() | T351E825M020AS | T351E825M020AS kemet SMD or Through Hole | T351E825M020AS.pdf | |
![]() | MC79M08BTG | MC79M08BTG ONS Call | MC79M08BTG.pdf | |
![]() | IRF620* | IRF620* IR TO-220 | IRF620*.pdf | |
![]() | BTA06-800BW | BTA06-800BW ST TO-220 | BTA06-800BW.pdf | |
![]() | AM50N03 | AM50N03 Analogpo TO-252 | AM50N03.pdf | |
![]() | RD07MVSI069AL-G | RD07MVSI069AL-G ORIGINAL BGA | RD07MVSI069AL-G.pdf | |
![]() | TD62503AFG | TD62503AFG TOSHIBA SOP | TD62503AFG.pdf | |
![]() | 74F20 | 74F20 F DIP14 | 74F20 .pdf | |
![]() | T351B825M006AS | T351B825M006AS kemet SMD or Through Hole | T351B825M006AS.pdf |