창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL2203NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL2203NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRL2203N Saber Model IRL2203N Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL2203NPBF SP001573688 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL2203NPBF | |
관련 링크 | IRL220, IRL2203NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | AOD3N50 | MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252 | AOD3N50.pdf | |
![]() | RG1608N-3321-W-T1 | RES SMD 3.32K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-3321-W-T1.pdf | |
![]() | FDS4810 | FDS4810 AO/SI/FSC/VISHAY SOP8 | FDS4810.pdf | |
![]() | R41-1959B | R41-1959B SMD/DIP MITSUMI | R41-1959B.pdf | |
![]() | DP8569V | DP8569V NS PLCC | DP8569V.pdf | |
![]() | MM3Z47VT1 | MM3Z47VT1 ON SMD | MM3Z47VT1.pdf | |
![]() | 29PL320BE-70PFV | 29PL320BE-70PFV F SOP | 29PL320BE-70PFV.pdf | |
![]() | 21S | 21S INFOMAX BGA | 21S.pdf | |
![]() | 78615/4C | 78615/4C muRataPS DIP6 | 78615/4C.pdf | |
![]() | SP810T | SP810T SPX SOT143 | SP810T.pdf | |
![]() | 1812 56R F | 1812 56R F TASUND SMD or Through Hole | 1812 56R F.pdf | |
![]() | KSAA0500065W1US(LEADFREE) | KSAA0500065W1US(LEADFREE) GREATSTAR SMD or Through Hole | KSAA0500065W1US(LEADFREE).pdf |