창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL2203NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL2203NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRL2203N Saber Model IRL2203N Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 116A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL2203NPBF SP001573688 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL2203NPBF | |
관련 링크 | IRL220, IRL2203NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RT1210CRB07240RL | RES SMD 240 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB07240RL.pdf | ||
HD404719FS | HD404719FS HIT QFP | HD404719FS.pdf | ||
SMA87-1S | SMA87-1S MA/COM SMD or Through Hole | SMA87-1S.pdf | ||
4312 020 036712 | 4312 020 036712 TDK SMD | 4312 020 036712.pdf | ||
SiP21101DR-18-E3 | SiP21101DR-18-E3 VISHAY SC70-5 | SiP21101DR-18-E3.pdf | ||
MT29C4G96MAZAPCJA-5 | MT29C4G96MAZAPCJA-5 Micron SMDDIP | MT29C4G96MAZAPCJA-5.pdf | ||
MAX4670ETJ+T | MAX4670ETJ+T MAXIM QFN | MAX4670ETJ+T.pdf | ||
MAX174AMJI | MAX174AMJI N/A CDIP | MAX174AMJI.pdf | ||
BD6712AF | BD6712AF ROHM SMD or Through Hole | BD6712AF.pdf | ||
XC4005PG156CKJ | XC4005PG156CKJ XILINX PGA-165 | XC4005PG156CKJ.pdf | ||
B37933K5270J60 | B37933K5270J60 EPCOS NA | B37933K5270J60.pdf | ||
HAT2126 | HAT2126 HIT SOP | HAT2126.pdf |