창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL1404ZSTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL1404Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5080pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 230W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRL1404ZSTRLPBFTR SP001557974 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL1404ZSTRLPBF | |
관련 링크 | IRL1404ZS, IRL1404ZSTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VS-ST180S16M0L | SCR PHASE CTRL 1600V 200A TO-93 | VS-ST180S16M0L.pdf | |
![]() | Y000713K6600T0L | RES 13.66K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000713K6600T0L.pdf | |
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![]() | K9736HB | K9736HB ORIGINAL QFP44 | K9736HB.pdf | |
![]() | M5118165-60 | M5118165-60 OKI TSOP | M5118165-60.pdf | |
![]() | CAP014DG | CAP014DG POWER SMD or Through Hole | CAP014DG.pdf | |
![]() | 5102321-7 | 5102321-7 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 5102321-7.pdf | |
![]() | M68A128ML55ZB6 | M68A128ML55ZB6 ST BGA | M68A128ML55ZB6.pdf | |
![]() | 195C6PC0OECF010A | 195C6PC0OECF010A ST SMD or Through Hole | 195C6PC0OECF010A.pdf | |
![]() | MAX6125EUR T | MAX6125EUR T MAXIM SOT23 | MAX6125EUR T.pdf |