창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRGSL4B60KD1PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRGB4B60KD1PBF Saber Model IRGB4B60KD1PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1512 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 11A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 22A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A | |
전력 - 최대 | 63W | |
스위칭 에너지 | 73µJ(켜기), 47µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 12nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 22ns/100ns | |
테스트 조건 | 400V, 4A, 100 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 93ns | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRGSL4B60KD1PBF SP001548286 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRGSL4B60KD1PBF | |
관련 링크 | IRGSL4B60, IRGSL4B60KD1PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ESRD150M08B | 15µF 8V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 40 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | ESRD150M08B.pdf | |
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![]() | FCP0805H102G | 1000pF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS) 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | FCP0805H102G.pdf | |
![]() | SIT8009AC-21-18E-125.000000E | OSC XO 1.8V 125MHZ | SIT8009AC-21-18E-125.000000E.pdf | |
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![]() | CIL21NR56KNEM | CIL21NR56KNEM SAMSUNG SMD or Through Hole | CIL21NR56KNEM.pdf | |
![]() | 2N7305 | 2N7305 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N7305.pdf | |
![]() | HI-D320 | HI-D320 HUNIN ROHS | HI-D320.pdf | |
![]() | MMT 1H104JF4 | MMT 1H104JF4 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMT 1H104JF4.pdf | |
![]() | RK73K1HTPJ121 | RK73K1HTPJ121 ORIGINAL SMD or Through Hole | RK73K1HTPJ121.pdf |