창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRGS4B60KD1PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRGB4B60KD1PBF Saber Model IRGB4B60KD1PBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 11A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 22A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 스위칭 에너지 | 73µJ(켜기), 47µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 12nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 22ns/100ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 4A, 100 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 93ns | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRGS4B60KD1PBF 63-2004PBF 63-2004PBF-ND SP001541856 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRGS4B60KD1PBF | |
| 관련 링크 | IRGS4B60, IRGS4B60KD1PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| 200TXW180MEFC16X25 | 180µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | 200TXW180MEFC16X25.pdf | ||
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![]() | DS2002SY15 | DS2002SY15 DYNEX SMD or Through Hole | DS2002SY15.pdf | |
![]() | MC14040BFEL | MC14040BFEL ON SOP-16 | MC14040BFEL.pdf | |
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![]() | RESFLM10.01%100PPM1 | RESFLM10.01%100PPM1 ORIGINAL SMD or Through Hole | RESFLM10.01%100PPM1.pdf | |
![]() | APT20M11JLL | APT20M11JLL APT SMD or Through Hole | APT20M11JLL.pdf | |
![]() | SKIIP21NAB12I | SKIIP21NAB12I SEMIKRON SMD or Through Hole | SKIIP21NAB12I.pdf | |
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