창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRGS10B60KDPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG(B,S,SL)10B60KDPbF | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014 Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014 Assembly Site Addition 10/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 22A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 44A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 10A | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 스위칭 에너지 | 140µJ(켜기), 250µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 38nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/230ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 10A, 47 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRGS10B60KDPBF SP001540990 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRGS10B60KDPBF | |
| 관련 링크 | IRGS10B6, IRGS10B60KDPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ELL-6PG820M | 82µH Shielded Wirewound Inductor 450mA 800 mOhm Nonstandard | ELL-6PG820M.pdf | |
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![]() | MRS25000C1333FCT00 | RES 133K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1333FCT00.pdf | |
![]() | R12DSN | R12DSN ON TO-252 | R12DSN.pdf | |
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![]() | BD3531F-FE2 | BD3531F-FE2 ROHM SOP-8 | BD3531F-FE2.pdf |