창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRGB4060DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRGB4060DPBF | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Process Update 31/Jul/2014 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 32A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 8A | |
| 전력 - 최대 | 99W | |
| 스위칭 에너지 | 70µJ(켜기), 145µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 19nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/95ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 8A, 47 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 60ns | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001533960 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRGB4060DPBF | |
| 관련 링크 | IRGB406, IRGB4060DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | EM01ZW | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | EM01ZW.pdf | |
![]() | 4-2176075-7 | 7.4nH Unshielded Thin Film Inductor 0201 (0603 Metric) | 4-2176075-7.pdf | |
![]() | RMCF1206FG590R | RES SMD 590 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FG590R.pdf | |
![]() | CRCW1218187RFKEK | RES SMD 187 OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218187RFKEK.pdf | |
![]() | SMAJ64-E3/61 | SMAJ64-E3/61 VISHAY SMA | SMAJ64-E3/61.pdf | |
![]() | QA01343LPB1AF/DFHS68FR539 | QA01343LPB1AF/DFHS68FR539 FOX CONN | QA01343LPB1AF/DFHS68FR539.pdf | |
![]() | NE556DG4 | NE556DG4 TI/BB SOIC14 | NE556DG4.pdf | |
![]() | N82S152N | N82S152N S DIP | N82S152N.pdf | |
![]() | M68B44P | M68B44P ST DIP | M68B44P.pdf | |
![]() | MT81L11 | MT81L11 FALCO SMD or Through Hole | MT81L11.pdf | |
![]() | IPS151 | IPS151 IR TO-220 | IPS151.pdf | |
![]() | 01520001TXN | 01520001TXN LF SMD or Through Hole | 01520001TXN.pdf |