창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH37K10D-EPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG7PH37K10D(-E)PbF | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 Tin Electro-Plating Metal 04/Jan/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 45A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 60A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 15A | |
| 전력 - 최대 | 216W | |
| 스위칭 에너지 | 1mJ(켜기), 600µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 135nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 50ns/240ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 15A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 120ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001549436 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG7PH37K10D-EPBF | |
| 관련 링크 | IRG7PH37K1, IRG7PH37K10D-EPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5510K900BER670 | RES 10.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5510K900BER670.pdf | |
![]() | K555A | K555A K DIP | K555A.pdf | |
![]() | T72030HGB01 | T72030HGB01 PaneLPro BGA | T72030HGB01.pdf | |
![]() | 3082F 94 | 3082F 94 N/A SOP | 3082F 94.pdf | |
![]() | MT48LC8M8 48ED | MT48LC8M8 48ED MICRON TSOP | MT48LC8M8 48ED.pdf | |
![]() | WP91144L8 | WP91144L8 IR TO-3P | WP91144L8.pdf | |
![]() | NJM2777 | NJM2777 JRC SOP | NJM2777.pdf | |
![]() | RD2.0P-T2 | RD2.0P-T2 NEC SOT-89 | RD2.0P-T2.pdf | |
![]() | 2SV290 TPL3 0603-TJ PB-FREE | 2SV290 TPL3 0603-TJ PB-FREE TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SV290 TPL3 0603-TJ PB-FREE.pdf | |
![]() | M-BUFFY-C1-MP-DB | M-BUFFY-C1-MP-DB AGERES TQFP | M-BUFFY-C1-MP-DB.pdf |