창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH35UPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG7PH35UPBF/U-EP | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 55A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 60A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A | |
전력 - 최대 | 210W | |
스위칭 에너지 | 1.06mJ(켜기), 620µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 85nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/160ns | |
테스트 조건 | 600V, 20A, 10옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | SP001545868 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG7PH35UPBF | |
관련 링크 | IRG7PH3, IRG7PH35UPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | NUP4304MR6T1G | TVS DIODE SC74-6 | NUP4304MR6T1G.pdf | |
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![]() | ESH2D-E3/5BT | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | ESH2D-E3/5BT.pdf | |
![]() | RC2512FK-071K47L | RES SMD 1.47K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-071K47L.pdf | |
![]() | CMF552K0500FEEB | RES 2.05K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K0500FEEB.pdf | |
![]() | 1097/CPWR | 1097/CPWR TI TSSOP16 | 1097/CPWR.pdf | |
![]() | RL207-T(MCC) | RL207-T(MCC) MCC SMD or Through Hole | RL207-T(MCC).pdf | |
![]() | ZX05-10H | ZX05-10H MINI SMD or Through Hole | ZX05-10H.pdf | |
![]() | ESE156M025AC3AA | ESE156M025AC3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESE156M025AC3AA.pdf | |
![]() | 41BP | 41BP AT&T DIP | 41BP.pdf |