창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH35UPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG7PH35UPBF/U-EP | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 55A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 60A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 스위칭 에너지 | 1.06mJ(켜기), 620µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 85nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/160ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 20A, 10옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001545868 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG7PH35UPBF | |
| 관련 링크 | IRG7PH3, IRG7PH35UPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 595D106X0016B4T | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 1611 (4028 Metric) 760 mOhm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) | 595D106X0016B4T.pdf | |
![]() | 0230.375MXP | FUSE GLASS 375MA 250VAC 125VDC | 0230.375MXP.pdf | |
![]() | P4SMA22A | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC SMD | P4SMA22A.pdf | |
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![]() | MB89P133A-201PFM-G | MB89P133A-201PFM-G FUJITSU SMD or Through Hole | MB89P133A-201PFM-G.pdf | |
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![]() | VE-810047 | VE-810047 VICOR SMD or Through Hole | VE-810047.pdf | |
![]() | KQ1008LTE1R0K | KQ1008LTE1R0K KOA SMD | KQ1008LTE1R0K.pdf | |
![]() | FW82801AA-SL38Q | FW82801AA-SL38Q INTEL BGA | FW82801AA-SL38Q.pdf |