창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH35UD1PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG7PH35UD1PBF(-EP) | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | 1200 V Trench IGBTs | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 50A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 150A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A | |
| 전력 - 최대 | 179W | |
| 스위칭 에너지 | 620µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 85nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | -/160ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 20A, 10옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001545878 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG7PH35UD1PBF | |
| 관련 링크 | IRG7PH35, IRG7PH35UD1PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DP-101-J | Pressure Sensor ±14.5 PSI (±100 kPa) Vented Gauge Female - M5, Male - 1/8" (3.18mm) BSPT Module | DP-101-J.pdf | |
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