창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH30K10DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG7PH30K10DPBF | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | 1200 V Trench Ultra-fast IGBTs | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 27A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 9A | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 스위칭 에너지 | 530µJ(켜기), 380µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 45nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 14ns/110ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 9A, 22 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 140ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001549446 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG7PH30K10DPBF | |
| 관련 링크 | IRG7PH30K, IRG7PH30K10DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| UBW2A331MPD | 330µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can | UBW2A331MPD.pdf | ||
![]() | B32916B5564M | 0.56µF Film Capacitor 530V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.945" W (41.50mm x 24.00mm) | B32916B5564M.pdf | |
![]() | ERJ-T14J6R8U | RES SMD 6.8 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-T14J6R8U.pdf | |
![]() | RT0805CRB07316KL | RES SMD 316K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB07316KL.pdf | |
| TSOP4833 | PH.MODULE 33KHZ S.VIEW | TSOP4833.pdf | ||
![]() | TNETD8200PGE 80 | TNETD8200PGE 80 ORIGINAL 144p | TNETD8200PGE 80.pdf | |
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![]() | SQV453226T-470J-N | SQV453226T-470J-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SQV453226T-470J-N.pdf | |
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