창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG4RC10SDPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG4RC10SDPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014 Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | Mold Compound/Alternate Fab Site 06/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 14A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 18A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A | |
전력 - 최대 | 38W | |
스위칭 에너지 | 310µJ(켜기), 3.28mJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 15nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 76ns/815ns | |
테스트 조건 | 480V, 8A, 100 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 28ns | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001545958 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG4RC10SDPBF | |
관련 링크 | IRG4RC1, IRG4RC10SDPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | SM5420-100-A-P-T | SM5420-100-A-P-T ORIGINAL SMD or Through Hole | SM5420-100-A-P-T.pdf | |
![]() | B966AS-120M=P3 | B966AS-120M=P3 TOKO SMD | B966AS-120M=P3.pdf | |
![]() | MC78M05B | MC78M05B ON TO-252 | MC78M05B.pdf | |
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![]() | PVD3-5-1212 | PVD3-5-1212 ORIGINAL SMD or Through Hole | PVD3-5-1212.pdf | |
![]() | T520U227M2R5ATE055 | T520U227M2R5ATE055 KEMET SMD or Through Hole | T520U227M2R5ATE055.pdf |