창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG4PH40UD2-EP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG4PH40UD2-EP | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Tin Electro-Plating Metal 04/Jan/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1512 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 41A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 82A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 21A | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 스위칭 에너지 | 1.95mJ(켜기), 1.71mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 100nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 22ns/100ns | |
| 테스트 조건 | 800V, 21A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRG4PH40UD2-EP IRG4PH40UD2EP SP001533572 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG4PH40UD2-EP | |
| 관련 링크 | IRG4PH40, IRG4PH40UD2-EP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | Y16256K81000T9W | RES SMD 6.81KOHM 0.01% 0.3W 1206 | Y16256K81000T9W.pdf | |
![]() | H55S2562JFR-60M-C | H55S2562JFR-60M-C Hynix SMD or Through Hole | H55S2562JFR-60M-C.pdf | |
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