창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG4BC30W-STRLP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG4BC30W-SPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 23A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 92A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A | |
전력 - 최대 | 100W | |
스위칭 에너지 | 130µJ(켜기), 130µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 51nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 25ns/99ns | |
테스트 조건 | 480V, 12A, 23 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRG4BC30W-STRLP-ND IRG4BC30W-STRLPTR SP001547704 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG4BC30W-STRLP | |
관련 링크 | IRG4BC30W, IRG4BC30W-STRLP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
KC7050T200.000P30E00 | 200MHz LVPECL SO (SAW) Oscillator Surface Mount 3.3V 90mA Standby (Power Down) | KC7050T200.000P30E00.pdf | ||
CJT8010RJJ | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 80W | CJT8010RJJ.pdf | ||
RC0402FR-07102RL | RES SMD 102 OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-07102RL.pdf | ||
D10AA20Z4 | RF Attenuator 20dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 10W 2-SMD, No Lead | D10AA20Z4.pdf | ||
HCPL4502-000E | HCPL4502-000E AVAGO D | HCPL4502-000E.pdf | ||
ALC21A | ALC21A ORIGINAL QFP48 | ALC21A.pdf | ||
BU8848FV | BU8848FV ROHM SMD or Through Hole | BU8848FV.pdf | ||
MT4LCM4E8-6Z | MT4LCM4E8-6Z MT SMD or Through Hole | MT4LCM4E8-6Z.pdf | ||
IRSF3021LTRPBF | IRSF3021LTRPBF IR SOT223 | IRSF3021LTRPBF.pdf | ||
MBM29LV651UE90TN-LE1 | MBM29LV651UE90TN-LE1 FUJITSU TSOP | MBM29LV651UE90TN-LE1.pdf | ||
2SCA928Y | 2SCA928Y ORIGINAL DIP | 2SCA928Y.pdf | ||
MAX3964AETP | MAX3964AETP MAXIM QFN | MAX3964AETP.pdf |