창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG4BC30FDPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG4BC30FDPbF | |
| 제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 10/Jul/2015 D2Pak Revision 15/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 31A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 124A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 스위칭 에너지 | 630µJ(켜기), 1.39mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 51nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 42ns/230ns | |
| 테스트 조건 | 480V, 17A, 23 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 42ns | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRG4BC30FDPBF SP001545780 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG4BC30FDPBF | |
| 관련 링크 | IRG4BC3, IRG4BC30FDPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RG1608V-4641-D-T5 | RES SMD 4.64KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-4641-D-T5.pdf | |
![]() | 88E6045-A2-TAH1C | 88E6045-A2-TAH1C MARVELL TQFP | 88E6045-A2-TAH1C.pdf | |
![]() | MCF183CN104M04AK | MCF183CN104M04AK ROHM SMD | MCF183CN104M04AK.pdf | |
![]() | N40504D77R | N40504D77R SAMSUNG SOP4 | N40504D77R.pdf | |
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![]() | MAX197CNEI | MAX197CNEI NULL NULL | MAX197CNEI.pdf | |
![]() | OV2640 | OV2640 OV BGA | OV2640.pdf | |
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![]() | 851559 | 851559 Triquint SMD or Through Hole | 851559.pdf | |
![]() | TM50S1165T-7 | TM50S1165T-7 ORIGINAL SOP | TM50S1165T-7.pdf | |
![]() | NP88N075CUE | NP88N075CUE NEC SMD or Through Hole | NP88N075CUE.pdf | |
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