창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG4BC20UDSTRRP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG4BC20UD-SPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014 Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 13A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 52A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6.5A | |
전력 - 최대 | 60W | |
스위칭 에너지 | 160µJ(켜기), 130µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 27nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 39ns/93ns | |
테스트 조건 | 480V, 6.5A, 50 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 37ns | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001535602 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG4BC20UDSTRRP | |
관련 링크 | IRG4BC20U, IRG4BC20UDSTRRP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
GL049F35IET | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL049F35IET.pdf | ||
ASTMHTE-19.200MHZ-XC-E-T3 | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-19.200MHZ-XC-E-T3.pdf | ||
SIT3907AI-2F-18NE-100.000000T | OSC XO 1.8V 100MHZ | SIT3907AI-2F-18NE-100.000000T.pdf | ||
AM27S21DCB | AM27S21DCB AMD DIP16 | AM27S21DCB.pdf | ||
2420439CB281H | 2420439CB281H molex SMD or Through Hole | 2420439CB281H.pdf | ||
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127-271 | 127-271 LY SMD | 127-271.pdf | ||
CD40BBM | CD40BBM N/A SMD or Through Hole | CD40BBM.pdf |