창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG4BC20KDPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG4BC20KDPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 10/Jul/2015 D2Pak Revision 15/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1511 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 32A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 9A | |
전력 - 최대 | 60W | |
스위칭 에너지 | 340µJ(켜기), 300µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 34nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 54ns/180ns | |
테스트 조건 | 480V, 9A, 50 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 37ns | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRG4BC20KDPBF SP001544718 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG4BC20KDPBF | |
관련 링크 | IRG4BC2, IRG4BC20KDPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 0325030.VXP | FUSE CERM 30A 250VAC 125VDC 3AB | 0325030.VXP.pdf | |
![]() | Y00076K32000T9L | RES 6.32K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00076K32000T9L.pdf | |
![]() | 7244A320-SL6AY | 7244A320-SL6AY INTEL BGA | 7244A320-SL6AY.pdf | |
![]() | PCF8576CU/2/F2.026 | PCF8576CU/2/F2.026 NXP SMD or Through Hole | PCF8576CU/2/F2.026.pdf | |
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![]() | K6R4016V1C-UC10 | K6R4016V1C-UC10 SAMSUNG TSOP44 | K6R4016V1C-UC10.pdf | |
![]() | FDB6N90 | FDB6N90 ORIGINAL TO263 | FDB6N90.pdf | |
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![]() | JANM38510/11703BXA | JANM38510/11703BXA SG SMD or Through Hole | JANM38510/11703BXA.pdf | |
![]() | 18D1-24D0909R2WNL | 18D1-24D0909R2WNL ORIGINAL SMD or Through Hole | 18D1-24D0909R2WNL.pdf | |
![]() | S25B TEL:82766440 | S25B TEL:82766440 NS SOT23-6 | S25B TEL:82766440.pdf | |
![]() | ECJ1VC2A100D | ECJ1VC2A100D panasonic SMD or Through Hole | ECJ1VC2A100D.pdf |