창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ46NSPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ46NSPbF, IRFZ46NLPbF | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1696pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFZ46NSPBF SP001567890 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFZ46NSPBF | |
관련 링크 | IRFZ46, IRFZ46NSPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
E32D101HPN272MA54M | 2700µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 45.9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | E32D101HPN272MA54M.pdf | ||
CDV30FF103GO3 | MICA | CDV30FF103GO3.pdf | ||
CPF1206B1K47E1 | RES SMD 1.47K OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B1K47E1.pdf | ||
MJD45H11TF-NL | MJD45H11TF-NL ORIGINAL SMD or Through Hole | MJD45H11TF-NL.pdf | ||
TCSCS1D335MB(20V3.3UF) | TCSCS1D335MB(20V3.3UF) SAMSUNG B | TCSCS1D335MB(20V3.3UF).pdf | ||
L4275 | L4275 STM SIL-7 | L4275.pdf | ||
TCM3001RNG | TCM3001RNG TI DIP14 | TCM3001RNG.pdf | ||
ICS84325EM | ICS84325EM ORIGINAL ORIGINAL | ICS84325EM.pdf | ||
216MEPC6LA14FG | 216MEPC6LA14FG ATI BGA | 216MEPC6LA14FG.pdf | ||
ECFT24C16AT | ECFT24C16AT ECMOS PB FREE | ECFT24C16AT.pdf | ||
WG240128A-TMI-VZW | WG240128A-TMI-VZW WINSTAR SMD or Through Hole | WG240128A-TMI-VZW.pdf | ||
NUD4700(350mA/6.5V) | NUD4700(350mA/6.5V) ORIGINAL DIODE | NUD4700(350mA/6.5V).pdf |