창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ46NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ46NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFZ46NPBF Saber Model IRFZ46NPBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 28A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1696pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFZ46NPBF SP001571842 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFZ46NPBF | |
관련 링크 | IRFZ46, IRFZ46NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MDA-V-15-R | FUSE CERAMIC 15A 250VAC 3AB 3AG | MDA-V-15-R.pdf | |
![]() | MII200-12A4 | MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB | MII200-12A4.pdf | |
![]() | MBB02070C2673DRP00 | RES 267K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C2673DRP00.pdf | |
![]() | CMF502K7000GKR6 | RES 2.7K OHM 1/4W 2% AXIAL | CMF502K7000GKR6.pdf | |
![]() | HDSPH151CATN | HDSPH151CATN AVAGO SMD or Through Hole | HDSPH151CATN.pdf | |
![]() | CD32 1R5 M | CD32 1R5 M ZTJ CD32 | CD32 1R5 M.pdf | |
![]() | M44C090F | M44C090F ORIGINAL SSOP | M44C090F.pdf | |
![]() | H11NAX | H11NAX VISHAY DIP-6 | H11NAX.pdf | |
![]() | 9999-00052-0705539 | 9999-00052-0705539 MURR SMD or Through Hole | 9999-00052-0705539.pdf |