창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ44NLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1470pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFZ44NLPBF SP001557836 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFZ44NLPBF | |
관련 링크 | IRFZ44, IRFZ44NLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | UPH2W680MHD | 68µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPH2W680MHD.pdf | |
2095-600-CLF | GDT 6000V 20% 5KA THROUGH HOLE | 2095-600-CLF.pdf | ||
![]() | ERA-8AEB302V | RES SMD 3K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB302V.pdf | |
![]() | ERJ-T14J470U | RES SMD 47 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-T14J470U.pdf | |
![]() | RT2010FKE0714K3L | RES SMD 14.3K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE0714K3L.pdf | |
![]() | DP97307 | DP97307 ORIGINAL QFP | DP97307.pdf | |
![]() | MN83951 | MN83951 pana QFP | MN83951.pdf | |
![]() | BDT60,62,64 | BDT60,62,64 PHILIPS TO-220 | BDT60,62,64.pdf | |
![]() | GUF20M | GUF20M gulf SMD or Through Hole | GUF20M.pdf | |
![]() | RK73K3ATE8J300 | RK73K3ATE8J300 ROHM SMD | RK73K3ATE8J300.pdf | |
![]() | 27C256L-20DMB | 27C256L-20DMB WSI CDIP28 | 27C256L-20DMB.pdf | |
![]() | GM6655-3.0ST25RG | GM6655-3.0ST25RG ORIGINAL SMD or Through Hole | GM6655-3.0ST25RG.pdf |