창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ34NPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ34NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFZ34NPBF Saber Model IRFZ34NPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 68W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFZ34NPBF SP001568128 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFZ34NPBF | |
관련 링크 | IRFZ34, IRFZ34NPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMF551K3300FKEK | RES 1.33K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K3300FKEK.pdf | |
![]() | MMBT2907ALT1XT | MMBT2907ALT1XT INF Call | MMBT2907ALT1XT.pdf | |
![]() | IRKDL56-10S05 | IRKDL56-10S05 IR SMD or Through Hole | IRKDL56-10S05.pdf | |
![]() | TLC2654CDR | TLC2654CDR TI SOP | TLC2654CDR.pdf | |
![]() | PKG4428 PI | PKG4428 PI ERICSSON SMD or Through Hole | PKG4428 PI.pdf | |
![]() | OF140SA100D | OF140SA100D Origin SMD or Through Hole | OF140SA100D.pdf | |
![]() | R60DN4470AA30J | R60DN4470AA30J ORIGINAL SMD or Through Hole | R60DN4470AA30J.pdf | |
![]() | OPA2740U | OPA2740U BB SOP8 | OPA2740U.pdf | |
![]() | BSS123.215 | BSS123.215 NXP na | BSS123.215.pdf | |
![]() | FHW0402UC012GGT | FHW0402UC012GGT Fenghua SMD | FHW0402UC012GGT.pdf | |
![]() | LP3944 | LP3944 NS QFN | LP3944.pdf |