창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFZ14STRR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFZ14 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFZ14STRR | |
| 관련 링크 | IRFZ14, IRFZ14STRR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 403C11A12M00000 | 12MHz ±10ppm 수정 10pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C11A12M00000.pdf | |
| BAS85-GS18 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80 | BAS85-GS18.pdf | ||
![]() | HRG3216P-4530-D-T1 | RES SMD 453 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-4530-D-T1.pdf | |
![]() | EP1C6F256I-7 | EP1C6F256I-7 ALTERA BGA256 | EP1C6F256I-7.pdf | |
![]() | K1010(PC817) | K1010(PC817) COSMO DIP | K1010(PC817).pdf | |
![]() | 137E14650 | 137E14650 FUJIXEROX BGA | 137E14650.pdf | |
![]() | CUPP001A512 | CUPP001A512 CPClare DIP4 | CUPP001A512.pdf | |
![]() | OMR-M-500Ω | OMR-M-500Ω OEG SMD or Through Hole | OMR-M-500Ω.pdf | |
![]() | 0402-4K12 | 0402-4K12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402-4K12.pdf | |
![]() | CAC24C256 | CAC24C256 ORIGINAL SMD or Through Hole | CAC24C256.pdf | |
![]() | MCR25JZHF2400 | MCR25JZHF2400 ROHM SMD or Through Hole | MCR25JZHF2400.pdf | |
![]() | IW4052AN | IW4052AN INT DIP | IW4052AN.pdf |