창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFZ14SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFZ14 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IRFZ14SPBFCT IRFZ14SPBFCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFZ14SPBF | |
| 관련 링크 | IRFZ14, IRFZ14SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SS8550C-BULKLF | SS8550C-BULKLF Fairchild SMD or Through Hole | SS8550C-BULKLF.pdf | |
![]() | 52609-0891 | 52609-0891 molex SMD or Through Hole | 52609-0891.pdf | |
![]() | CS8818G-108(BO) | CS8818G-108(BO) NA LQFP64 | CS8818G-108(BO).pdf | |
![]() | M30622MA-A38FP | M30622MA-A38FP MIT QFP | M30622MA-A38FP.pdf | |
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![]() | AN6766S | AN6766S PANASONI SOP22 | AN6766S.pdf | |
![]() | 2D215 | 2D215 BB F | 2D215.pdf | |
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![]() | AD7787BRZ-REEL7 | AD7787BRZ-REEL7 AD Original | AD7787BRZ-REEL7.pdf | |
![]() | H3Y-2-1S-24VDC | H3Y-2-1S-24VDC OMRON SMD or Through Hole | H3Y-2-1S-24VDC.pdf | |
![]() | K7N801801M-QC1 | K7N801801M-QC1 SAMSUNG TQFP128 | K7N801801M-QC1.pdf |