창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFZ14PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFZ14PBF | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 43W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRFZ14PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFZ14PBF | |
| 관련 링크 | IRFZ1, IRFZ14PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C1608C0G1H331G080AA | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1H331G080AA.pdf | |
![]() | 744732221 | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 700 mOhm Max Radial | 744732221.pdf | |
![]() | RT1210WRD0716R9L | RES SMD 16.9 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0716R9L.pdf | |
![]() | Y162636R5000C0R | RES SMD 36.5 OHM 0.25% 0.3W 1506 | Y162636R5000C0R.pdf | |
![]() | SX23281 | SX23281 FSC TO-92 | SX23281.pdf | |
![]() | PG43856R1 | PG43856R1 ORIGINAL SMD or Through Hole | PG43856R1.pdf | |
![]() | STC8803 | STC8803 ST DIP | STC8803.pdf | |
![]() | FM145L-W-S-R01-W | FM145L-W-S-R01-W RECTRON SMADO-214AC | FM145L-W-S-R01-W.pdf | |
![]() | HD6433042F17P10 | HD6433042F17P10 HIT QFP | HD6433042F17P10.pdf | |
![]() | YP-20S/T | YP-20S/T SAMSUNG QFP-100 | YP-20S/T.pdf |