홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » IRFUC20PBF

Vishay BC Components IRFUC20PBF

IRFUC20PBF
제조업체 부품 번호
IRFUC20PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
IRFUC20PBF 가격 및 조달

가능 수량

10205 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 629.36160
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IRFUC20PBF 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. IRFUC20PBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRFUC20PBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IRFUC20PBF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IRFUC20PBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRFUC20PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFRC20, IRFUC20
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.4옴 @ 1.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds350pF @ 25V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지TO-251AA
표준 포장 75
다른 이름*IRFUC20PBF
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IRFUC20PBF
관련 링크IRFUC2, IRFUC20PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
IRFUC20PBF 의 관련 제품
680pF 150V 세라믹 커패시터 E 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) AQ13EA681FA1ME.pdf
MICA CDS19FD271FO3.pdf
D6211+1 NEC DIP D6211+1.pdf
GT40J323 TOSHIBA TO-3P(N) GT40J323.pdf
N1016 YAMAHA NULL N1016.pdf
TG-805S-203 BURANS SMD or Through Hole TG-805S-203.pdf
1DM5-0001-5705P HP DIP40 1DM5-0001-5705P.pdf
IRFW644BTM ORIGINAL SMD or Through Hole IRFW644BTM.pdf
TCSCN1C105KAAR(16V/1 SAMSUNG SMD or Through Hole TCSCN1C105KAAR(16V/1.pdf
1H592-001U-29B TEXAS CDIP 1H592-001U-29B.pdf
AD534SCHIPS IC SMD or Through Hole AD534SCHIPS.pdf